Schlüsseltechnologien für Streckenmaterialien
Innovative Vorschläge für hochwertige UV LED Ausdehnbare Materialfehler- und Spannungskontrolltechnologie, UV-Realisierung LED Materialfehlerdichte reduziert auf 3×10⁸ cm⁻², Internationales fortgeschrittenes Niveau erreichen
Bitfehlerdichtesteuerung
Bitfehlerdichte reduziert auf 3×10⁸ cm⁻², Internationales fortgeschrittenes Niveau erreichen
Stress effektiv freisetzen
Innovative Pyramide Nano-Grafik NPSS Substrat Extended Growth Healing Technologie
Nobelpreisträger anerkannt
2014 Nobelpreisträger für Physik Nakamura Hoch bewertet
Innovative hochwertige UV LED Ausdehnbare Materialfehler- und Spannungskontrolltechnologie
Durch grafische Unterlagen, Dickenkontrolle, Bitfehler-Fusion- und Spannungsablösungstechnologie, bahnbrechende Verbesserung der Qualitäten der Ausdehnungsmaterialien
Grafische Oberflächenformation
Verwendung des Atomkraftmikroskops (AFM) Beobachtete grafische Substratoberfläche, Darstellung einer regelmäßig angeordneten pyramidförmigen oder kegelförmigen Struktur, Gleichmäßig verteilt, Ideale Schablonen für längeres Wachstum.
Dicke übersteigt 10µm
Scan-Elektronenmikroskop (SEM) Schnittbildanzeige AlN Wachstum der Schichten auf dem Sapphir-Untergrund, Dicke übersteigt 10µm, Enthält vertikal verlaufende Luftlöcher.
Biegungsvernichtung beim Bitfehler-Fusionsprozess
Transmittionselektronenmikroskop (TEM) Bild zeigt die Biegung von Bitfehlern in der Extensionsschicht während des Wachstumsprozesses, Fusion- und Zerstörungsprozesse, Effektive Verringerung der Fehlerdichte.
Stress effektiv freisetzen
Einfache Raumkarte (RSM) Analyse zeigt Spannungszustand und Kristallmasse im Material, Qualitativ hochwertiges Wachstum durch effektive Spannungsablösungstechniken.
Technologie und geistiges Eigentum
Innovationen auf der Grundlage von Extension-Technologien werden von Nobelpreisträgern anerkannt, Erfolgreich in der Satellitenkontrolle eingesetzt
Kernpatente
Repräsentative Abhandlungen
Anwendungsergebnisse
Bewertung der Nobelpreisträger
2014 Nobelpreisträger für Physik Nakamura
"Diese technologische Innovation verspricht eine niedrige Bitfehlerdichte bei innovativen Wachstumsmethoden und Hitztechnologien AlN/NPSS Wirklichkeit werden"
